然而，浙江展设目前的研究仅限于在实验室制作小尺寸样品。
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应用文献链接：TelluriumNanowireGate-All-AroundMOSFETsforSub-5nmApplications.(ACSAppl.Mater.Interfaces,2021,DOI:10.1021/acsami.0c18767)本文由tt供稿。流程体晶缺陷晶体学的概念再次可以确定在纳米晶体附着时可以防止或确定性地形成平面缺陷的附着途径。此外，机器n型1TeFET的亚阈值摆幅甚至达到60mV/dec的热电子极限。
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全球排名5，陷分析纳米领域第1——王中林王中林是佐治亚理工学院教授和中国科学院北京纳米能源与系统研究所首席科学家，陷分析也是中国科学院外籍院士、欧洲科学院院士、台湾中央研究院院士。
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